Репрограммируемые ПЗУ выпускаются двух типов:

Серия ППЗУ	Амплитуда программирующих имнуль-сов, В	Длительность импульсов, МКС	Длительность цикла программирования, с	Скважность импульсов
К541РТ1	(4,5-12)+0,5 (2,4-4,5)±0,5	1-8	0,5	2
КР556РТ5	5±0,5, 12,5+0,5;	25 — 100	0,25-1	10

Репрограммируемые ПЗУ выпускаются двух типов: с электрическим и ультрафиолетовым стиранием информации. Оба типа РПЗУ выполняются на основе МДП-структур. В первом случае запись информации осуществляется подачей программирующих импульсов, амплитуда которых в несколько раз превышает напряжение питания. Стирание информации происходит при подаче импульсов напряжения обратной полярности. Во втором случае для стирания информации матрица РПЗУ облучается ультрафиолетовым излучением в течение 30 — 60 мин. Несмотря на очевидные преимущества перед ППЗУ, РПЗУ пока не находят широкого применения в МПУ обработки радиотехнических сигналов. Основной причиной этого является их невысокое быстродействие (время выборки составляет сотни наносекунд — единицы микросекунд).
Важной разновидностью ПЗУ являются программируемые логические матрицы (ПЛМ), которые могут быть запрограммированы в виде различных комбинаций, реализующих логические функции входных сигналов. Конструктивно модули ПЗУ выполняются а виде ФЯ и подключаются к общей магистрали.
Буферные ЗУ представляют собой ОЗУ, выполняющие функции согласования между двумя устройствами, например между периферийным устройством и памятью МПУ; между двумя ЗУ, работающими с различным быстродействием и т. п. Пример использования буферного ЗУ для согласования быстродействия РЛС и магнитного накопителя рассмотрен в § 2.1.
По принципу хранения информации: статические и динамические. В статических ЗУ для хранения каждого бита информации используется отдельный триггер. В динамических ЗУ один бит информации хранится в виде заряда паразитной емкости затвор — лодложка. С течением времени напряжение заряда емкости снижается и может стать меньше допустимого значения.
Во избежа ние этого необходима периодическая подзарядка (регенерация) содержимого ОЗУ. Для динамических ЗУ характерно более низкое быстродействие, обусловленное постоянной цепи заряда — разряда емкости, и большая информационная емкость. Для хранения одного бита информации в динамическом ЗУ требуется 1 — 3 транзистора вместо 6 — 8 транзисторов у статического ЗУ.
По функционально-технологическому принципу: на биполярные (ТТЛШ, И2Л, И3Л, ЭСЛ) и МОП («МОП, КМОП, рМОП). Биполярные ЗУ характеризуются высоким быстродействием (единицы — десятки наносекунд) и соответственно большей потребляемой мощностью; МОП ЗУ обладают большей плотностью размещения, но меньшим быстродействием при меньшей мощности потребления; КМОП БИС могут также сохранять информацию при пониженном напряжении питания, например КР537РУЗ сохраняет информацию при снижении напряжения питания до 1,3 В (номинальное значение 5 В).
Кроме перечисленных выше признаков полупроводниковая память может также классифицироваться по способу организации обмена информацией: с произвольной выборкой и с последовательным обращением; по конструктивной реализации: на встроенную в кристалл МП, реализованную в виде отдельной БИС, выполненную в !виде ФЯ или блока. В качестве признаков классификации могут быть также использованы следующие характеристики ЗУ: емкость памяти, разрядность слова, время выборки, потребляемая мощность и др. В табл. 1.5 приведены основные характеристики наиболее распространенных типов полупроводниковой памяти.

Содержание раздела